Memorias más veloces de Samsung
Samsung anunció sus planes de producción de módulos de memoria para teléfonos inteligentes que incluyen lo que se conoce como “material de cambio de fase” (PCM, por sus siglas en inglés), a través de lo cual lograrían mayor velocidad, almacenar mas datos, prolongar la duración de la batería hasta un 20% más.
Estos módulos se componen de una sustancia que graba o borra datos al calentarse y utiliza menor cantidad de energía que las memorias actuales.
Los chips de PCM se producirán en el mismo formato que los modelos existentes, para incorporarlos fácilmente en la fabricación.
Memorias más veloces
Pruebas de laboratorio realizadas por la empresa surcoreana indican que las memorias de cambio de fase de 512 megabits pueden leer y escribir datos hasta diez veces más rápido que algunas memorias flash ya existentes.
Samsung planifica comenzar a producir los nuevos módulos PCM de 512 megabits, compatibles con los módulos tradicionales de memorias flash, componentes que no superan los 40 nanómetros de ancho.
Samsung también manifiesta que los PCM tiene una estructura más simple que los otros formatos, lo que los hará más fáciles de fabricar y de empezar a utilizar en los teléfonos.
Las memorias más veloces de Samsung podrían estar en sus líneas de producción a fines de 2010.
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